Волфрамов силицид на прах WSi2 на прах

Волфрамов силицид (WSi2) е неорганично съединение, което е силицид на волфрам. Това е проводим керамичен материал.

Използва се в микроелектрониката като контактен материал със съпротивление 60-80 μΩ cm; Формира се при 1000 градуса. Често се използва като шунт за полисилициеви проводници за увеличаване на тяхната проводимост и скорост на сигнала. Волфрамовият силициден слой може да бъде получен чрез химическо отлагане на пари, например като се използва моносилан или дихлоросилан с волфрамов хексафлуорид като източник на газ. Отложеният филм е нестехиометричен и се нуждае от отгряване, за да се превърне в по-проводима стехиометрична форма. Волфрамовият силицид е ранна алтернатива на волфрамовия филм. Волфрамовият силицид се използва и като бариерен слой между силиций и други метали като волфрам.

Волфрамовият силицид също има приложения в микроелектромеханичните системи и се използва главно като тънък филм за производство на микромащабни вериги. За тази цел филмите от волфрамов силицид могат да бъдат плазмено ецвани, като се използва например газ азотен трифлуорид.

WSi2 се представя добре в антиокислителни покрития. По-специално, подобно на молибденовия дисилицид (MoSi2), високата излъчвателна способност на волфрамовия дисилицид прави този материал привлекателен за високотемпературно радиационно охлаждане и влияе върху термичната защита.