CZ Силиконова пластина
CZ силиконовите пластини обикновено се използват в полупроводниковата индустрия като субстрати за производството на интегрални схеми, микропроцесори и други електронни устройства. Те са ценени за тяхната висока чистота, ниска плътност на дефекти и отлични електрически свойства.
Описание
Описание
Силициевата пластина CZ е вид силициева пластина, която се произвежда по метода на Чохралски (CZ), който е популярен метод за отглеждане на единични кристали от силиций. Методът CZ включва топене на силиций с висока чистота в тигел и след това бавно издърпване на зародишен кристал от стопилката, докато тигелът и зародишният кристал се въртят в противоположни посоки.
Когато зародишният кристал се извади от стопилката, това кара силиция да се втвърди в цилиндрична форма около зародишния кристал. Този процес води до единичен кристал от силиций, който е без дефекти и има висока степен на чистота.
Спецификация
| Диаметър | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Степен | Първичен | ||||||
| Метод на растеж | CZ | ||||||
| Ориентация | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Тип/Добавка | Тип P/Бор, Тип N/Phos, Тип N/As, Тип N/Sb | ||||||
| Дебелина (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Толерантност на дебелината | Стандартен ± 25 μm, максимални възможности ± 5 μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| Съпротивление | 0.001 - 100 ом-см | ||||||
| Завършена повърхност | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Стандартен< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Лък/Деформация (?m) | Стандартен<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Популярни тагове: cz силиконова пластина
Изпрати запитване
Може да харесаш също
